一款全CMOS结构低功耗亚阈带隙基准源

摘要

基于CSMC 0.18μm工艺,设计了一款全CMOS结构的带隙基准源电路。电路正常工作时,所有MOS管均处于亚阈工作状态,从而保证了整个带隙基准电路芯片具有极低的功耗。在电压输出方面,通过分压降低负温度系数（CTAT）电压同时降低相应的正温度系数（PTAT）电压,使输出电压小于1 V。在温度系数方面,通过对CTAT电压进行分压降低负温度系数,配合级联PTAT电路,使温度系数能够精确可调。再经由PTAT电压调整管,极大改善了输出温度特性,得到较低的温度系数。后仿真结果表明该基准输出电压为495 mV,整体工作电流仅为8 nA,温度系数为4.86×10-6,工作温度为-50～150℃。该设计应用于低压差线性稳压器芯片中,芯片测试结果表明其性能良好。