1053nm超辐射发光二极管量子阱的设计

摘要

对于给定波长的超辐射发光二极管,根据应变量子阱理论,研究了器件有源层组分与量子阱宽度的关系,并讨论了量子阱中In组分相对于不同波长的最小临界值。用MOCVD生长器件,实验结果与理论计算值吻合。