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许婧; 周幸叶; 谭鑫; 吕元杰; 李佳; 梁士雄; 冯志红;
中国电子科技集团公司第十三研究所;
石家庄050051;
专用集成电路重点实验室;
4H-SiC; 雪崩光电二极管(APD); 紫外(UV)探测器; 阵列; 暗电流;
机译:高均匀度的4H-SiC紫外雪崩光电二极管阵列
机译:均匀可靠的GaN p-i-n紫外雪崩光电二极管阵列
机译:Al x italic> sub> Ga 1- x italic> sub> N紫外雪崩光电二极管,其雪崩增益大于 $ 10 ^ {5} $ tex-math> inline-formula>
机译:用于紫外线检测的高均匀度4×4 SiC雪崩光电二极管阵列
机译:太阳盲紫外光电探测器,焦平面阵列和可见盲雪崩光电二极管。
机译:高紫外线检测效率的4H-SiC分离吸收电荷和倍增雪崩光电二极管结构的优化策略
机译:InGaas高速光电二极管,InGaas / Inalas雪崩光电二极管和新型alassb雪崩光电二极管的设计和表征
机译:Geiger模式雪崩光电二极管阵列集成到全数字CmOs电路。
机译:使用紫外线雪崩光电二极管成像阵列单元,其应用方法以及由其构成的成像阵列
机译:具有光电二极管阵列的光学检测器,该光电二极管阵列具有连接至淬灭电阻器的雪崩光电二极管
机译:雪崩光电二极管和雪崩光电二极管阵列
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