一种日盲紫外线雪崩光电二极管阵列探测器

摘要

本发明提供一种日盲紫外线雪崩光电二极管阵列探测器，包括基板层、第一宽禁带半导体层、第二宽禁带半导体层、缓冲层、硅基材料层、第一阴极引出端、阳极引出端及第二阴极引出端，其中，第一宽禁带半导体层位于基板层上；第二宽禁带半导体层与缓冲层位于第一宽禁带半导体层上且间隔设置；硅基材料层位于缓冲层上；第一阴极引出端位于第二宽禁带半导体层上；阳极引出端与第二阴极引出端位于硅基材料层上。本发明的日盲紫外线雪崩光电二极管阵列探测器是基于硅基和化合物半导体材料集成，可以实现该探测器对380nm以上波段光子的有效抑制，保证了较高的光子探测效率，并改善了制作日盲紫外线雪崩光电二极管阵列探测器时的工艺可靠性。