Si/SiC混合并联功率器件开关模式优化及特性分析

摘要

在对比SiC MOSFET和Si IGBT器件开关特性的基础上,提出了一种SiC MOSFET和Si IGBT混合并联器件的优化开关模式,并结合系统稳态模型,分析了其非理想开关过程特性。利用双脉冲测试,对不同开通/延迟时间下的混合并联器件开关特性展开了实验。实验结果表明,所提开关模式能够同步实现SiC MOSFET扩容并降低Si IGBT的开关损耗。该研究成果可对拓展两种开关器件的混合应用提供技术参考。