机译:SI / SIC混合开关的功率损耗模型和设备尺寸优化
Hunan Univ Coll Elect & Informat Engn Changsha 410082 Hunan Peoples R China;
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Univ Leicester Sch Engn Leicester LE1 7RH Leics England;
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Hybrid switch; insulated-gate bipolar transistor (IGBT); loss model; MOSFET; SiC; size optimization;
机译:用于Si和SiC器件的牵引逆变器优化设计的功率半导体的特性和可扩展建模
机译:用于结温平衡和降低功耗的Si / SiC混合开关的栅极控制优化
机译:SiC-VJFET功率开关器件:改进的模型和参数优化技术
机译:直接交流/交流转换器中SIC,Hybrid Si / SiC和SI器件之间的损失比较
机译:用于开关变换器的SiC功率半导体器件的建模和损耗分析
机译:1200V / 200A全SiC电源模块在开启瞬态时上侧和下侧开关的vgs特性的建模和分析
机译:基于SiC和Si功率装置的功率损耗和效率比较评估MVDC转换器的扰动抑制与控制设计