基于SiC-Si混合功率半导体器件开关的双有源桥变换器

摘要

一种基于SiC‑Si混合功率半导体器件开关的双有源桥变换器，由两个基于SiC‑Si混合功率半导体器件开关的单相全桥H1和H2，以及一台高频变压器Thf构成。SiC‑Si混合功率半导体器件由同电压等级的一只小额定电流SiC‑MOSFET和一只大额定电流Si‑IGBT并联组成。本发明双有源桥变换器为移相控制。在SiC‑Si混合功率半导体器件开关中先导通SiC‑MOSFET,实现Si‑IGBT零电压开通，然后关断SiC‑MOSFET，使得Si‑IGBT零电压关断。配合双有源桥变换器的原有软开关范围，通过改变SiC‑Si混合功率半导体器件中SiC‑MOSFET和Si‑IGBT的开通关断时序，可以降低基于SiC‑Si混合功率半导体器件开关的双有源桥变换器的器件开关损耗及通态损耗，提高变换器效率。