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宋修曦; 马志斌; 丁康俊; 陈建丽; 耿鹏;
武汉工程大学材料科学与工程学院;
中国电子科技集团公司第四十六研究所;
同质外延; 单晶金刚石; 晶面取向; 化学气相沉积;
机译:凹进深度和籽晶侧面的晶体学取向对CVD单晶金刚石同质外延生长的影响
机译:晶体学取向对平铺单晶金刚石克隆同质外延生长的影响
机译:N_2O对CVD单晶金刚石高速同质外延生长的影响
机译:在(100)和(001)取向的YBa_2Cu_3O_x单晶衬底上进行MOCVD同质外延生长
机译:衬底取向错误对有机金属气相外延法生长碲化镉的同质外延的影响。
机译:MPCVD系统中300托压力下单晶金刚石的同质外延生长
机译:通过横截面TEm和CL分析,衬底类型对CVD生长的同质外延金刚石层质量的影响
机译:通过微波等离子体辅助化学气相沉积在高温下高生长率同质外延金刚石膜沉积
机译:金刚石在金刚石基底上的单晶同质外延生长-通过将冷却的基底保持在碳氢化合物气体和氧气的火焰中
机译:在其上生长单晶金刚石的基础材料包括基础衬底,键合的单晶MgO层和异质外延膜,以及在该基础材料上制造单晶金刚石衬底的方法
机译:大同质外延单晶金刚石的合成
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