Al-Sn共掺杂ZnO薄膜的结构与光电性能研究

摘要

采用射频磁控共溅射法在玻璃衬底上制备出了Al与Sn共掺杂的ZnO(ATZO)薄膜。在固定ZnO∶Al(AZO)靶溅射功率不变的条件下,研究了Sn靶溅射功率对ATZO薄膜的结晶质量、表面形貌、电学和光学性能的影响。结果表明,制备的ATZO薄膜是六角纤锌矿结构的多晶薄膜,具有c轴择优取向,而且表面致密均匀。当Sn溅射功率为5W时,330 nm厚度的ATZO薄膜的电阻率最小为1.49×10-3Ω.cm,比AZO薄膜下降了22%。ATZO薄膜在400～900 nm波段的平均透过率为88.92%,禁带宽度约为3.62 eV。