平栅型氧化锡表面传导电子发射源的制备及场发射性能研究

摘要

利用磁控溅射、光刻和剥离技术在玻璃基底上成功制备了平栅型氧化锡表面传导电子发射源，并测试其场发射性能。扫描电镜和光学显微镜测试表明，沉积在阴极和栅极之间的氧化锡为不连续薄膜，直径大约在100～200nm。场发射测试表明，电子发射源的传导电流和发射电流完全被栅压控制。在阳压和栅压分别为3200V和210V时，阴阳间距为500μm时，平栅型氧化锡表面传导电子发射源的电子发射效率为0．85％，发光亮度为850ed／m2，表明氧化锡薄膜在表面传导电子发射源方面有着较好的应用潜力。