微量Co3+掺杂对GdBCO薄膜结构及超导性能的影响

摘要

采用自主研发的无氟高分子辅助金属有机物沉积(FF-PAMOD)法在LaAlO3单晶基底上制备微量Co3+掺杂的GdBCO薄膜,研究不同掺杂量对薄膜结构和超导性能的影响.结果表明,掺杂量x为0.001的薄膜(GdBa2 Cu3-xCoxO7-z)具有更好的 c轴织构和更加平整致密的表面微结构,以及在77 K自场具有最高的临界电流密度(Jc).此外,与纯样相比,该掺杂样品(x=0.001)在磁场下显示出更高的Jc(77 K,30 K),这可能是Co3+掺杂对薄膜外延生长的促进和掺杂引入的钉扎中心共同作用的结果.