低温双极器件的研究（1）

摘要

本文从理论和实验二方面研究了硅晶体管电流增益的低温特性，建立了电流增益的温度模型，阐明了电流增益低温下降的机理及其与与发射区杂质浓度的新关系，在此基础上探讨了获得具有良好的电性能的硅低温晶体管的方法。