强磁场下氧化钌温度传感器的磁致电阻效应研究

摘要

以氧化钌温度传感器(Rx-202A)为研究对象,研究了其在0～16T磁场下、2～40K温区内的磁致电阻效应.结果表明:RX-202A的磁效应随场强的升高而升高,随温度呈波动变化,在低温区先由正效应转变为负效应,后又随温度的升高而逐渐降低,并逐渐趋于0,RX-202A在2.1K、16T处的磁效应为0.83;RX-202A由磁效应引起的测量误差随温度呈波动变化,在2.2～10K温区随场强的变化差别较小,在10～ 38K温区随场强的增大而增大,RX-202A在2.2K、16T处,38K、16T处产生的温度测量误差分别为-0.099K和0.364K.