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杨剑;
深亚微米设计; 设计验证; 半导体产业; 摩尔定律; 设计效果; 低功耗; 漏电流; 工程师;
机译:评估优化亚阈值设计的途径:深亚微米和超深亚微米区域中的比例大块nMOSFET
机译:无结多栅极设计可改善基于亚微米ISFET的深亚微米传感器的电气性能
机译:深亚微米技术下亚阈值电压的32位CMOS加法器设计与分析
机译:亚微米和深亚微米CMOS技术中集成的RF前端的T1设计
机译:分析亚微米和深亚微米技术中加法器和乘法器的基于IP的实现。
机译:基于晶体管关联技术的深亚微米EGFET用于化学传感
机译:深亚亚微米CMOS中低辍学电压调节器和电压参考的设计与实现,用于新兴互联网和卫星
机译:使用深亚微米超大规模集成(VLsI)技术的认知处理器设计的性能和功耗优化
机译:采用深亚微米CMOS技术的咔嗒声噪声接地开关设计
机译:采用深亚微米CMOS技术的快速点击式噪声接地开关设计
机译:用于深亚微米设计的互连和晶体管可靠性分析
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