瑞萨电子宣布推出新型SiGe:C异质接面晶体管

摘要

瑞萨电子宣布推出新款SiGe：C异质接面晶体管（SiGe：C HBT）NESG7030M04,可做为低噪声放大晶体管用于无线局域网络系统、卫星无线电及类似应用。本装置的制程采用全新开发的硅锗：碳（SiGe：C）材料达到领先业界的低噪声效能。