首页> 中文期刊> 《共产党员：下半月》 >砷化铟可替代硅制造未来电子设备

砷化铟可替代硅制造未来电子设备

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

据美国物理学家组织网报道，美国能源部劳伦斯伯克利国家实验室和加州大学伯克利分校的科学家成功地将厚度仅为10纳米的超薄半导体砷化铟层集成在一个硅衬底上，

著录项

来源
《共产党员：下半月》 |2010年第12期|P.53-53|共1页
作者

展开▼
作者单位

不详;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类电子元件、组件;
关键词
电子设备; 加州大学伯克利分校; 美国能源部; 制造; 硅; 铟; 国家实验室; 物理学家;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 砷化铟可替代硅制造未来电子设备 [J] . . 现代材料动态 . 2011,第003期
2. 美成功研制出砷化铟可替代硅制造未来电子设备 [J] . . 纳米科技 . 2010,第006期
3. 砷化铟可替代硅制造未来电子设备 [J] . . 化工科技市场 . 2010,第012期
4. 砷化铟或可替代硅制造电子设备 [J] . . 光机电信息 . 2010,第12期
5. 砷化镓与硅半导体制造工艺的差异分析 [J] . 黄国洲 ,张翼 ,哈建宇 . 电子测试 . 2003,第009期
6. 掺硅水平砷化镓单晶的产业化 [C] . 武壮文 . 第四届中国功能材料及其应用学术会议 . 2001
7. 砷化硼及砷化铟团簇结构、稳定性和电子性质的理论研究 [A] . 刘志锋 . 2011

获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号