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声明
1 绪 论
2理论基础和计算方法
3 BnAsn(n=1-14)团簇结构和电子性质的密度泛函理论研究
4 InnAsn(n=4-90)管状团簇和InAs无限长纳米管的结构、稳定性和电子性质
总结与展望
参考文献
在读期间发表的论文
后 记
刘志锋;
新疆师范大学;
砷化硼团簇; 砷化铟团簇; 密度泛函理论; 几何结构; 电子性质;
机译:中性,正性和负性砷化铟簇InnAsn的结构,振动和电子性质的理论研究(n = 1、2、3)
机译:在砷化铟镓/磷化铟和砷化镓衬底上生长的自组装砷化铟纳米结构形成的有力研究
机译:与砷化镓匹配的氮化铟镓砷晶格的结构,电子和光学性质的第一原理研究
机译:二维六方砷化硼的电子结构和光学性质
机译:砷化镓锑苷/铟砷化镓和砷化镓锑/铟磷化镓锑/磷化铟异质结构的MOCVD生长和光学性质
机译:砷团簇的结构和电子性质的第一性原理研究
机译:分子束外延生长的砷化镓/铝砷化镓和砷化镓铝铟/砷化铝铝的多量子阱和超晶格结构的光学性质。
机译:砷化镓,磷化铟,砷化铟和锑化镓中电子和空穴高能迁移的理论研究。
机译:砷化镓基质的制备方法,砷化镓基质及其使用以及表征砷化镓基质表面性质的方法
机译:用于近红外辐射的半导体光电阴极-包括透明的砷化镓铝镓层和电子发射砷化镓铟锡层
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