新纳米点电子记忆体速度创世界新高

摘要

美国加州大学伯克利分校和台湾新竹纳米元件实验室的研究人员，利用纳米点创建的新电子记忆体技术，在写入和擦除数据方面比当今主流电荷存储内存产品要快10-100倍，打破了世界纪录。相关研究结果发表于最新一期美国物理协会纯用物理学快报》。