非晶态薄膜压力传感器的研究

摘要

本文介绍的是文献[1]的第二轮研制工作,包括:①用射频溅射非晶态NiSiB薄膜应变片的制备新工艺;②敏感弹性元件的设计;③薄膜压力传感器的构造与性能。 虽然,NiCrMe合金、Ta_2N合金等性能较好且已有应用,但是,我们仍采用非晶态的NiSiB的合金。原因在:它的电阻变值与所受应变值间线性关系范围宽,最大静态应变可达10^(-2);应变灵敏系数为2～3;电阻温度系数在210℃以下仅(0～6)×10^(-6)K^(-1);电阻率达153μΩ·cm;耐腐蚀、顺磁性,所以它是一种较为理想的薄膜应变片材料。