鼠大脑室管膜下区放射损伤与相关基因表达

摘要

目的 研究鼠大脑室管膜下区细胞 （SEC）放射性损伤的剂量效应关系及其相关基因表达规律。方法 采用 10MeV电子线照射昆明鼠全脑制作SEC放射损伤模型 ,以昆明鼠大脑SEC数、凋亡率和 p5 3,C jun ,C fos基因表达率为研究指标。结果 ①照射后 6h昆明鼠的SEC数开始下降 ,2 4,48h达最低值 ,12 0h有所恢复 ;照射剂量越高 ,SEC数越少 ;②照射后 6hSEC出现凋亡 ,2 4h凋亡率达到高峰 （5 ,10 ,2 0Gy组分别为 33.2 % ,33.3% ,37.0 % ） ,12 0h恢复 ;③照射后 2hSEC的C fos表达率达高峰 ,6h明显下降 ,2 4h恢复 ;④照射后 2hC jun表达率开始上升 ,6h达高峰 （5 ,10 ,2 0Gy照射组分别为 14.1% ,2 3.3%和 46 .5 % ） ,48h下降 ,12 0h恢复 ;⑤照射后 2hp5 3表达率明显上升 ,2 4h达到高峰 （5 ,10 ,2 0Gy组分别为 2 6 .5 % ,40 .8%和 6 6 .5 % ） ,48h下降 ,12 0h基本恢复。 结论 放射线诱导SEC的p5 3,C jun基因过表达和凋亡是放射性脑损伤的重要发病机制。