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太阳电池组件; 制造成本; 纳米柱; 铝箔; 生长; 美国加州大学; 硅太阳电池; 电池技术;
机译:在AIN / Si基板上基于InGaN的纳米柱LED晶体的选择性区域生长可用于集成μ-LED的制造
机译:通过紫外线软压印和水热生长在微柱上使用ZnO纳米线制造分层结构,以控制形貌和润湿性
机译:通过RF-MBE方法生长高质量氮化物纳米柱晶体和InGaN / GaN纳米柱LED的制造
机译:在10μmx10μm柱上生长的新型SiGe虚拟衬底上制造的SiGe pMOSFET
机译:直接在硅上生长的基于磷化铟纳米柱的纳米光子器件
机译:通过MBE在Si(111)上生长的纳米壁网络纳米柱和致密膜之间的GaN结构变化
机译:在铝箔上制造二维交错的银纳米片
机译:在超平滑的500nm厚的钛粘附层上的微制造的非晶硅纳米柱。
机译:硅衬底上生长的INN纳米柱外延晶片及其制造方法
机译:铝箔基质上生长的氮化铟纳米柱状硅片晶圆及制备方法
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