Ag掺杂对Bi2(Te0.95Se0.05)3薄膜热电功率因子的影响

摘要

cqvip:采用瞬间蒸发技术在温度为473 K的玻璃基体上沉积了厚度为800 nm的Ag掺杂Bi2(Te0.95Se0.05)3热电薄膜。利用X射线衍射(XRD)技术对薄膜的物相结构进行表征,采用表面粗糙度测量仪测定薄膜厚度,薄膜的电阻率采用四探针法在室温下进行测量,在室温下对薄膜的Seebeck系数进行表征。Ag的掺杂浓度为0.2%,热电功率因子提高到16.1 mW/(cm.K2)。Ag掺杂浓度从0.25%增加到0.5%,薄膜为p型半导体,热电功率因子呈减少的趋势。