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高结晶质量N型Ag掺杂PbTe基热电薄膜的制备方法

摘要

本发明涉及一种具有(2×2)重构表面的高结晶质量N型Ag掺杂PbTe基热电薄膜的制备方法,Ag的掺杂量≤5%。采用分子束外延法来实现薄膜的制备,通过优化制备条件,Ag掺杂PbTe基热电薄膜可实现层状平铺生长,且表面发生的(2×2)重构,薄膜结晶质量、热电性能均优于未掺杂的PbTe热电薄膜;本发明表面(2×2)重构还可为基于PbTe薄膜材料的量子点、量子阱等低维结构的制备提供大尺度周期性晶格模板,并应用于低维高性能PbTe基热电材料的制备,以进一步提高PbTe基材料的热电性能。

著录项

  • 公开/公告号CN106887516A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-06-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 绍兴文理学院;

    申请/专利号CN201710177354.7

  • 发明设计人 吴海飞;余亚东;徐珊瑚;

    申请日2017-03-23

  • 分类号H01L35/34;H01L35/14;

  • 代理机构北京华仲龙腾专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人李静

  • 地址 312000 浙江省绍兴市越城区城南大道900号

  • 入库时间 2023-06-19 02:38:37

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-07-18

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L35/34 申请日:20170323

    实质审查的生效

  • 2017-06-23

    公开

    公开

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