GaAs/Ge太阳电池抗电子辐射研究

摘要

锗砷化镓(GaAs/Ge)太阳电池抗电子辐射试验研究是高性能航天应用太阳能电源的基础研究项目.对这种电池进行了1x 1013e/cm2、1x 10 14e/cm2、6x 1014e/cm2、1x 10 15e/cm2、1.69x 1015e/cm2等辐射总量的试验.在1x 1015e/cm2辐射下,开路电压、短路电流和转换效率分别衰减了9.27%、11.25%和19.35%.电子辐射后,电池在长波长方光谱响应衰降较多,电池深能级瞬态谱分析表明带隙中引入了0.42 eV、0.43 eV的深能级.为提高电池的耐辐射性能,要改进电池制作工艺,提高电池各半导体层均匀性,减小电池结深和减小电池有效部分的厚度.