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GaAs/Ge太阳电池电子辐射效应的移位损伤剂量分析

             

摘要

引入移位损伤剂量,对国产空间用GaAs/Ge太阳电池电子的辐射效应进行研究分析.首先计算电子在电池中的非电离能损(non-ionizing energy loss,NIEL)值,再用其与电子辐射注量的相乘,得到相应的移位损伤剂量(displacement damage dose,Dd),并对不同能量电子辐射下GaAs/Ge太阳电池最大输出功率Pmax随Dd的衰降曲线进行修正.分析结果表明:用Dd代替辐射注量,可使不同能量电子辐射引起的GaAs/Ge太阳电池Pmax的衰降能用单一曲线来描述.由此,通过NIEL值的计算和相对少的电子实验数据,就可确定太阳电池Pmax的衰降曲线,能够方便地预测在轨任务太阳电池的工作寿命.

著录项

  • 来源
    《中国科技论文 》 |2015年第5期|520-522527|共4页
  • 作者单位

    北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室,北京100875;

    北京师范大学核科学与技术学院,北京100875;

    北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室,北京100875;

    北京师范大学核科学与技术学院,北京100875;

    北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室,北京100875;

    北京师范大学核科学与技术学院,北京100875;

    北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室,北京100875;

    北京师范大学核科学与技术学院,北京100875;

    北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室,北京100875;

    北京师范大学核科学与技术学院,北京100875;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 真空电子学(电子物理学) ;
  • 关键词

    GaAs/Ge太阳电池; 移位损伤剂量; 电子辐射 ;

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