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多氟代季戊四芳醚的合成及其在低介电薄膜中的应用

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合成了六个多氟代季戊四芳醚类化合物,并且对部分化合物掺杂于SiO2薄膜的介电性质进行了研究.当氟原子掺杂浓度(F/Si)为1%时,薄膜介电常数K值小于3.

著录项

来源
《有机化学》 |2000年第5期|787-789|共3页
作者
周峥嵘; 丁宗彪; 王全瑞; 李峰; 陶凤岗; 徐伟; 夏燚; 章壮健; 华中一;
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作者单位

复旦大学化学系,上海,200033;

复旦大学化学系,上海,200033;

复旦大学化学系,上海,200033;

复旦大学化学系,上海,200033;

复旦大学化学系,上海,200033;

复旦大学材料科学系,上海,200433;

复旦大学材料科学系,上海,200433;

复旦大学材料科学系,上海,200433;

复旦大学材料科学系,上海,200433;

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正文语种 chi
中图分类化学;
关键词
多氟代季戊四芳醚; 氟掺杂SiO2薄膜; 低介电常数;

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