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肖剑荣; 徐慧; 刘小良; 李燕峰; 张鹏华; 简献忠;
中南大学,物理科学与技术学院,长沙,410083;
中南大学,材料科学与工程学院,长沙,410083;
上海理工大学,电气工程学院,上海,200093;
氮化铜薄膜; 晶体结构; 光学带隙; 电阻率;
机译:氧分压下射频反应磁控溅射制备锶氧化铜薄膜的性能
机译:沉积过程中射频功率和氧气流量对反应磁控溅射法制备氧化铜薄膜透光率的影响
机译:反应性射频磁控溅射制备的氮化铜薄膜
机译:通过反应射频磁控溅射制备的氮化铜膜
机译:射频磁控溅射砷化镓,碲化砷硒和硅薄膜的制备和表征。
机译:反应磁控溅射制备二元氧化铜薄膜的相变和物理性质
机译:用射频反应磁控溅射用不同氧偏压制备锶氧化铜膜的性质
机译:射频磁控溅射制备Gaas薄膜
机译:用射频磁控溅射法和薄膜太阳能电池用射频薄膜制备木质薄膜的方法
机译:用于生产包含卤化铜(I)或伪铜卤化物(I)的薄膜的前体溶液,用于制备包含卤化铜(I)或伪铜薄膜(I)的薄膜的前体溶液的制备方法,膜沉积方法包含卤化铜(I)或伪卤化铜(I)
机译:通过反应性射频沉积气定时的氮氧化膜的方法磁控溅射
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