高亮度GaAlAs单异质结红光二极管

摘要

本文从工业生产角度对ＧａＡｌＡｓ单异质结红光二极管的芯片制作技术作了细致研究。设计出能同时生长多枚外延片的新结构生长舟，选择了合适的管芯参数与生长条件，制定出稳定重复的工艺流程。用本项技术制出的单异质结管芯，发光波长为６６０ｎｍ，平均亮度达到４．５ｍｃｄ／２０ｍＡ，最高亮度达６．２ｍｃｄ。