注入Si中的稀土离子Er3+的光学特性

摘要

用离子注入方法，将稀土离子Ｅｒ３＋注入到ｎ－Ｓｉ单晶中，通过对其低温（７７Ｋ）光致发光光谱的测量，研究其光学特性．结果表明，注入剂量控制在１×１０１２ｃｍ－２～１×１０１５ｃｍ－２范围，退火温度控制在９００℃～１１００℃时，样品的主要发光峰值位于１．５４μｍ左右．研究了样品的光致发光光谱随注入剂量、退火温度的变化关系，给出峰值在１．５４μｍ附近的未分辨开的谱线的半宽为１６．４ｍｅＶ．