SiGe/Si量子阱的低温光荧光和电注入发光

摘要

使用Ｓｉ－ＭＢＥ生长了阶梯形折射率分布ＳｉＧｅ／Ｓｉ量子阱材料，在低温下观测到无声子参与的光荧光和电注入发光。阶梯形折射率分别ＳｉＧｅ／Ｓｉ电子阱结构有利于提高发光效率。讨论了这种结构的光学和电学特性。