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成步文; 余金中; 于卓; 王启明; 陈坤基; 黄信凡;
无;
机译:根据X射线光谱数据,非晶(SiO2)(x)(a-Si:H)(x-1)复合膜的电子结构和相组成的特殊性
机译:中间相硅结构诱导了热退火a-Si / SiO2多层膜的光致发光增强
机译:伪纳米晶体硅诱导a-Si / SiO2多层膜中的发光增强
机译:准分子激光晶化的a-Si:H / a-SiN_x H多量子阱的微观结构和可见光致发光
机译:以极性,半极性和非极性方向生长的InGaN / GaN多量子阱发光二极管。
机译:InGaN / GaN多量子阱LED纳米线中的载流子局部化效应:发光量子效率的提高和负热活化能
机译:离子发光作为晶体SiO2中结构异常的传感器:快速重离子测定非晶化阈值
机译:非晶和结晶siO2中的本征缺陷光致发光
机译:具有多量子阱的有效区域的发光装置及其制造方法,使蓝移最小化
机译:A-SI / A-SI(GE)/ A-SI(O)的光电导层组成
机译:用半导体材料制备籽晶,包含滑移区,该滑移区用于通过切克劳斯基法拉晶单晶或通过区域拉晶(其中晶体块为特定直径的硅棒)制成
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