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无序GaInP光致发光谱的温度依赖关系

         

摘要

研究了无序GaInP样品的温度依赖关系,大低温PL谱中,谱线呈单峰结构。随着温度从15K升高到250K,说地宽从16meV增大到31meV,并且发生红移,同时强度减小两个数数量级。

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