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ZnCdSe-ZnSe组合超晶格的受激发射

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77K下首次观测到了来自ZnCdSe-ZnSe组合超晶格的受激发射过程.在组合超晶格中由于载流子转移过程的存在,受激发射出现在具有宽阱的超晶格中.

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来源
《发光学报》|2000年第4期|334-337|共4页
作者
于广辉; 范希武; 郑著宏; 关郑平; 张吉英; 申德振;
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作者单位

中国科学院长春光学精密机械与物理研究所;

吉林长春130021;

中国科学院激发态物理开放研究实验室;

吉林长春130021;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体性质;
关键词
MOCVD; ZnCdSe-ZnSe组合超晶格; 受激发射;

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