半导体量子点中弱耦合激子的性质

摘要

研究了抛物型半导体量子点中弱耦合激子的性质,在有效质量近似下,采用线性组合算符和幺正变换的方法,导出了抛物型半导体量子点中激子的基态能量.讨论了量子点半径和受限强度对半导体量子点中弱耦合激子的基态能量的影响.以GaAs半导体为例进行了数值计算,结果表明:在弱耦合情况下,重空穴激子和轻空穴激子的基态能量随量子点半径的减小而增大,随受限强度ω0的增强而增大.