ZnO纳米线阵列的定向生长、光致发光及场发射性能

摘要

采用光刻和脉冲准分子激光沉积技术在Si衬底上制备了图形化的ZnO种子层薄膜.分别采用气相输运和水热合成法,制备了最小单元为30 μm的图形化的垂直定向生长的ZnO纳米线阵列.X射线衍射(XRD)分析显示ZnO纳米线阵列具有高度的c轴[001]择优取向生长特性.从扫描电子显微镜( SEM )照片看出,阵列图形完整清晰,边缘整齐.纳米线阵列室温下光致发光(PL)谱线中在380 nm左右具有强烈的紫外发射峰,可见光区域发射峰得到了抑制,证明ZnO纳米线缺陷少,晶体质量高.场致电子发射测量表明,ZnO纳米线阵列开启电场和阈值电场分别为2.3,4.2 V/μm,具有较好的场致电子发射性能.