稀磁半导体材料居里温度的极值点

陈余; 关玉琴; 赵春旺

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稀磁半导体材料居里温度的极值点

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以Zener模型为基础,考虑反铁磁性交换作用对DMS材料居里温度的影响,理论计算得到了居里温度关于掺杂浓度和反铁磁性交换作用的二元函数,对GaAs:TM(Ga,TM)As (TM=Sc,Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni)的居里温度做了详细分析得到:n型半导体居里温度有一个极大值,而p型掺杂是单调的递增.

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来源
《发光学报》|2009年第5期|702-705|共4页
作者
陈余; 关玉琴; 赵春旺;
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作者单位

内蒙古工业大学,理学院物理系,内蒙古,呼和浩特,010051;

内蒙古工业大学,理学院物理系,内蒙古,呼和浩特,010051;

内蒙古工业大学,理学院物理系,内蒙古,呼和浩特,010051;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 O472.5;
关键词
稀磁半导体; 居里温度; 掺杂浓度; 反铁磁性交换作用;
入库时间 2022-08-18 01:48:30

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