应用碳化硅表面改性技术降低全息-离子束刻蚀光栅刻槽的粗糙度

摘要

采用具有良好比刚度和热稳定性的碳化硅材料作为基底,使用全息-离子束刻蚀技术制作了光栅.碳化硅材料表面固有缺陷导致制作的光栅刻槽表面粗糙度高,槽底和槽顶粗糙度分别达到了29.6 nm和65.3nm (Rq).通过等离子辅助沉积技术在碳化硅表面镀制一层均匀的硅改性层,经过抛光可以获得无缺陷的超光滑表面.XRD测试表明制备的硅改性层为无定形结构.原子力显微镜的测试结果表明:经过抛光后,表面粗糙度为0.64nm(Rq).在此表面上制作的光栅刻槽表面粗糙度明显降低,槽底和槽顶粗糙度分别为2.96nm和7.21 nm,相当于改性前的1/10和1/9.