紫外有机发光器件的激子形成区域优化与掺杂调控

摘要

采用空穴传输兼发光层CBP和电子传输兼发光层TAZ构建了紫外有机电致发光器件(UVOLED),通过调控功能层厚度可以优化激子形成区域,进而改善器件性能.实验结果表明:CBP厚度的变化对器件性能影响甚微,而TAZ厚度变化则有显著影响.当CBP和TAZ厚度分别为50 nm和30 nm时,获得了最大辐照度为4.4 mW/cm2@270 mA/cm2、外量子效率(EQE)为0.94％@12.5 mA/cm2,发光来自于CBP主发光峰～410nm以及TAZ肩峰～ 380 nm的UVOLED器件.在此基础上,通过在CBP/TAZ界面引入超薄[CBP∶ TAZ]掺杂层可以加速激子复合,降低器件驱动电压,同时还有利于改善载流子平衡性,提高发光效率(最大EQE达到了0.97％@20 mA/cm2)而不影响光谱特性.