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TFT工艺中的反应性离子刻蚀

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摘要

对TFT器件工艺中的反应性离子刻蚀技术进行了研究,给出了TFT器件工艺中常见薄膜刻蚀速率的实验结果,并讨论了掺杂气体(如H2、Ar)对刻蚀速率的影响.

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来源
《液晶与显示》|1999年第1期|29-33|共5页
作者
柳江虹; 袁剑峰; 杨柏梁; 梁庆成;
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作者单位

中国科学院长春物理研究所,长春,130021;

北方液晶工程研究开发中心,长春,130021;

中国科学院长春物理研究所,长春,130021;

北方液晶工程研究开发中心,长春,130021;

中国科学院长春物理研究所,长春,130021;

北方液晶工程研究开发中心,长春,130021;

中国科学院长春物理研究所,长春,130021;

北方液晶工程研究开发中心,长春,130021;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类电子束器件、X射线管、阴极射线管;
关键词
反应性离子刻蚀; 选择比; TFT器件;
入库时间 2022-08-18 08:59:04

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