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掺杂对CdSe-TFT稳定性影响的研究

     
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摘要

利用蒸发和溅射工艺,研究了CdSe-TFT的制作,特别对掺In的CdSe-TFT的电性能进行了研究.实验中观察到CdSe掺In后,TFT的I-V特性明显得到改善,得到了性能稳定的TFT器件.利用半导体掺杂理论对此现象进行了解释.

著录项

  • 来源
    《液晶与显示》|2000年第3期|196-201|共6页
  • 作者

    景玉梅; 叶如华; 李志明; 李菊生;

  • 作者单位

    中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,吉林,长春,130021;

    中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,吉林,长春,130021;

    中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,吉林,长春,130021;

    中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,吉林,长春,130021;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 TN321.5;
  • 关键词

    CdSe; 薄膜晶体管; 掺杂;

  • 入库时间 2023-07-25 17:33:58

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