CdSe薄膜晶体管制备工艺的研究

摘要

对CdSe-TFT的制作工艺进行了探索,对TFT矩阵的关键材料--半导体层CdSe的性质进行了研究.利用zc-36型高阻仪研究了CdSe薄膜电阻率随蒸发速率的变化,用三探针法和Curve Tracet QT-2对TFT样管的基本电性能进行了测试,得到载流子迁移率为170cm2/V·s,OFF态电流小于lO-10A,ON态电流为10-4A.