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李佐; 张凤玲; 廖大麟;
贵州工程应用技术学院理学院 贵州 毕节 551700;
HBT晶体; 高压; 弹性性质; 各向异性;
机译:Fe(III),Co(II),Ni(II),Cu(II),Zn(II),Cd(II),Hg(II),Pd(II)和Pt(II)与2,5的配位-己二酮双(硫代半脲),HBTS:顺-[Pd(HBTS)] Cl_2和1-(2,5-二甲基-1H-吡咯基)-硫脲的晶体结构
机译:多环芳烃在第一股法计算高压下的弹性性质
机译:高压下Mo2FeB2的结构,电子,磁和弹性性质的第一性原理计算
机译:InGaP发射极HBT在高集电极电压下的可靠性
机译:用于砷化镓异质结双极晶体管(HBT)射频集成电路(RFIC)的低负载电容片上静电放电(ESD)保护电路。
机译:高压下Mo2FeB2的结构电子磁和弹性性质的第一性原理计算
机译:高偏压下的石墨烯纳米带场效应晶体管
机译:压电晶体的非线性弹性性质:GapO4
机译:用硅锗(SiGe)异质结双极晶体管(HBT)集成栅全部(GaA)晶体管(HBT)
机译:Hemt-HBT-晶体管组合,噪声小,线性度高
机译:异质结双极晶体管,特别是具有多指结构的高输出功率HBT,用于高频和高功率组件
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