一种基于65nm CMOS工艺的77GHz宽带功率放大器

摘要

采用65nm CMOS工艺设计了一款基于四路功率合成的77 GHz(E波段)功率放大器。采用电容中和技术抵消密勒电容的负面效应;利用功率合成技术解决MOS管低击穿电压引起的低输出电压摆幅的问题,将多路输出功率高效合成以实现高功率输出。采用共轭匹配和多频点叠加的带宽拓展技术,有效实现电路阻抗匹配和带宽拓展。后仿真结果表明,在79GHz处,该功率放大器的最大增益为20.5dB,-3dB带宽为64GHz~86GHz,输出功率1dB压缩点为12.7dBm,饱和输出功率16.6 dBm,峰值功率附加效率为16.5%。该功率放大器版图面积为0.29 mm^(2);在1.2V供电电压下,功耗为211mW。