新型双桥结构硅压力传感器

摘要

在利用有限元法分析硅杯结构应力分布的基础上,设计制造了两种新型双惠斯登电桥结构压力传感器.其中力敏电桥位于膜片上的高应力区,补偿电桥位于膜片对角线上或膜片附近逐渐增厚的体硅区,并且组成每个电桥的四个电阻集中设置在同一区域.提出了一种将力敏电桥和补偿电桥的输出信号相减的新方法,可望明显减小压力传感器的温漂.