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纳米碳管周围的电位和电场分布

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摘要

通过数值计算研究了单根碳管模型和碳管阵列模型下的电位和电场分布情况.利用有限差分求解碳管周围,特别是尖端附近的电位和电场分布.并通过修改模型参数,分析了碳管高度、碳管半径等几何参数对碳管周围电场分布的影响.对于碳管阵列模型还着重分析了碳管间的场屏蔽效应和场增强因子.

著录项

来源
《电子器件》|2004年第1期|53-56|共4页
作者
张宇宁; 杨扬; 雷威; 张晓兵; 秦少玲; 王保平;
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作者单位

东南大学电子工程系,南京,210096;

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东南大学电子工程系,南京,210096;

东南大学电子工程系,南京,210096;

东南大学电子工程系,南京,210096;

东南大学电子工程系,南京,210096;

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正文语种 chi
中图分类显示材料;
关键词
纳米碳管; 有限差分; 场发射; 电场;

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