300 V IGBT的设计

摘要

为了设计一款300 V IGBT,从理论分析了IGBT各工艺参数与器件主要性能之间的关系.并利用Tsuprem4和Medici软件,重点研究了器件工艺参数对器件击穿电压、阈值电压的影响,同时分析了IGBT器件的开关特性及其影响因素,最终得到了兼容CMOS工艺的300 V IGBT的最佳结构、工艺参数.通过计算机模拟得知,该器件的关态和开态的击穿电压都达到了要求,阈值电压为2 V,而且兼容目前国内的CMOS工艺,可以很好地应用于各种高压功率集成电路.