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Ni含量对PHEMT欧姆接触的影响

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摘要

研究了AuGeNi/Au金属系统中 Ni含量对n-GaAs欧姆接触的影响,用传输线法对接触电阻进行了测试,在原子力显微镜观测了合金表面形貌,测试了高温存储后接触电阻的变化.结果表明:Ni含量占AuGe的8%wt左右,Ge与Ni的厚度比在1.6:1左右时,可以得到相对比较好的欧姆接触.

著录项

来源
《电子器件》|2007年第5期|1539-1541|共3页
作者
张书敬; 杨瑞霞; 崔玉兴; 杨克武;
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作者单位

河北工业大学信息工程学院,天津,300130;

中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄,050051;

河北工业大学信息工程学院,天津,300130;

中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄,050051;

中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄,050051;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类装架;
关键词
AuGeNi/Au; 砷化镓; 欧姆接触;

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