Flash Memory测试技术发展

郭桂良; 朱思奇; 阎跃鹏

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Flash Memory测试技术发展

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从Flash memory 测试技术的发展背景出发,论述了flash memory测试技术的发展现状以及前景.同时重点对Flash-march算法和BF&D算法进行了分析和评价.指出Flash memory的发展是以测试技术的发展为基础的,必须把Flash memory本身的发展和测试技术的发展综合考虑,才能有助于两者的协调发展.

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来源
《电子器件》 |2008年第4期|1130-1133|共4页
作者
郭桂良; 朱思奇; 阎跃鹏;
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作者单位

中国科学院微电子研究所,北京,100029;

中国科学院微电子研究所,北京,100029;

中国科学院微电子研究所,北京,100029;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类测试和检验;
关键词
闪存; 测试; 自建测试; 错误模型; march;

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