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图形反转方法制备MEMS器件电极的研究

         

摘要

研究了利用AZ5214光刻胶图形反转实现抗腐蚀金属NiCr剥离的关键工艺步骤,该方法可以用于制备金属电极,进而优化器件性能.理论上讨论了图形反转的形成机理,根据Dill理论对光刻胶曝光模型进行了推导,并使用MATLAB模拟工具对其进行了仿真.通过优化各项工艺参数,得到了最佳倒台面结构,并制备了精度达到1μm宽的用于MEMS器件的金属NiCr电极.

著录项

  • 来源
    《电子器件》 |2010年第5期|557-560|共4页
  • 作者单位

    电子科技大学光电信息学院,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054;

    电子科技大学光电信息学院,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054;

    电子科技大学光电信息学院,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054;

    电子科技大学光电信息学院,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 光刻、掩膜;
  • 关键词

    AZ5214光刻胶; 图形反转; 倒台面; 反转烘;

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