GaN HEMT非线性输出电容寄生参数研究

摘要

分析了GaN(氮化镓)HEMT(高电子迁移率晶体管)非线性输出电容寄生参数Cout与功率放大器效率的关系.通过建立非线性电路模型分析得出,Cour与外部合适的匹配电路结合能产生类似电压半正弦波,电流方波的最优效率波形.选用GaN HEMT器件设计S频段射频功率放大器,实测结果显示该放大器最高漏极效率(DE)为81.7％,功率附加效率(PAE)78.56％,功率为41.16 dBm,在100 M带宽内PAE也可达74.49％以上,并且结构简单.实测结果验证了原理分析的可靠性.